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      偽靜態(tài)存儲(chǔ)器（Parrallel pSRAM）的設(shè)計(jì)是用于直接替代靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM），即使內(nèi)部存儲(chǔ)器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲(chǔ)器分別是偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（PSRAM）及鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（F—RAM）。PSRAM針對(duì)慢速SRAM應(yīng)用；當(dāng)純粹計(jì)算每個(gè)位的成本時(shí)具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。F-RAM針對(duì)電池后備SRAM（即BBSRAM）應(yīng)用，在系統(tǒng)成本及產(chǎn)品供應(yīng)方面具有競(jìng)爭(zhēng)力。F-RAM還有一個(gè)目標(biāo)用途是用于非易失性數(shù)據(jù)獲得，在這種應(yīng)用中可以提供卓越的性能。
Density Part Number Vcc(V) Speed(MHz) Bus Modes Temp. Package Packing Status PDF下載
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32Mbit RS3204JSQ 1.8 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC Tube MP 暫無
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